反应烧结碳化硅的磨削借助于多种表征手段和测试方法，对磨削后反应烧结碳化硅陶瓷的表面/亚表面形貌进行研究，分析磨削工艺参数对材料表面粗糙度、材料硬度以及表面/亚表面结构的影响。
　　通过调整工作台转速、磨削深度和光磨时间等参数，研究参数对磨削后SiC表面粗糙度Ra、磨削效率、表面形貌和亚表面微观结构的影响。
　　采用金刚石砂轮对(RBSiC)进行磨削,系统研究了表面形貌、残余应力和弯曲强度等磨削特征。结果显示，材料主要以脆性断裂去除,局部区域为塑性切除。随着轴向进给增大,表面粗糙度(Ra)增加,为降低Ra可进行适当光刀。随着轴向进给增加,磨削区的冷却效果被削弱,使磨削残余压应力值下降。
　　反应烧结碳化硅与0。9μm/s相比，用1。35μm/s磨削后试样的表面损伤程度增加。工作台转速2。1r/min、轴向进给0。9μm/s
并光刀1min是保证高加工效率并获得较好质量表面的参数。
　　总结：研究发现，碳化硅陶瓷去除机理是以脆性去除方式为主，其具体形式包括晶粒去除、材料剥落、脆性断裂等。