碳化硅微粉的化学除碳工艺有两种方法：加热氧化法、化学氧化法，具体内容如下。
    1.1加热氧化法
    通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧气反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。
    利用高温煅烧除去碳化硅微粉中的碳杂质。该方法的最佳工艺条件为煅烧温度为900℃，煅烧时间为3h，碳化硅内部的碳杂质得到了完全去除。
    以空气为氧化介质进行碳化硅微粉与碳杂质的分离。实验结果表明:当氧化温度在450～560℃之间，氧化时间在4h，杂质碳的去除率可以达到98.6%～99.2%。
    通过实验分析可知，在一定的温度及时间范围内，加热氧化法对碳化硅微粉中的碳杂质去除率可达98%，但由于粒径为微粉级的碳化硅表面积过大，如果加热温度过高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能将碳微粉包裹，从而不利于碳杂质的去除。
    1.2化学氧化法
    利用用硝酸、硫酸和高氯酸中的一种或组成混合酸使用，或者在酸中添加作无机氧化剂的高锰酸钾和重铬酸钾，使碳化硅微粉中的碳杂质以气体的形式挥发出去，从而实现了对石墨和游离碳的去除。
    利用化学氧化法虽然也能使碳化硅微粉中的游离碳氧化成气体挥发掉，但氧化工艺所添加的强氧化性酸对人体及机器都会有强烈的腐蚀性，所以不利于大规模的工业化生产。